?三星擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能，今年資本支出增8%

隨著三星電子(Samsung Electronics)大舉擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能，分析人士預(yù)估，今(2018)年廠商的資本支出有望成長(zhǎng)8%，半導(dǎo)體設(shè)備族群前景暢旺。

barron`s.com 12日?qǐng)?bào)導(dǎo)，Keybanc分析師Weston Twigg發(fā)表研究報(bào)告指出，今年芯片廠商對(duì)設(shè)備的資本支出，有望成長(zhǎng)8%、高于先前他所預(yù)估的5%，需求更有機(jī)會(huì)增加10%以上，其中邏輯IC設(shè)備的需求相對(duì)穩(wěn)定，晶圓代工廠雖然上半年有些疲軟、但下半年應(yīng)會(huì)改善。

Twigg說(shuō)，三星似乎正在積極擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能，估計(jì)存儲(chǔ)器的需求會(huì)比設(shè)備業(yè)者一季前預(yù)估的還要強(qiáng)勁，DRAM擴(kuò)產(chǎn)、3D NAND產(chǎn)能持續(xù)上升，有望讓芯片廠商的資本支出一路增加至今年底。雖然三星基本上已經(jīng)停止擴(kuò)產(chǎn)OLED、并大幅降低現(xiàn)有OLED產(chǎn)能的利用率，但應(yīng)用材料 ( Applied Materials )對(duì)此因素的曝險(xiǎn)度相對(duì)低，其OLED相關(guān)營(yíng)收僅占整體的7%。

應(yīng)用材料12日應(yīng)聲上漲2.69%、收56.43美元，重返60日移動(dòng)平均線，并創(chuàng)3月26日收盤(pán)高。半導(dǎo)體蝕刻機(jī)臺(tái)制造商科林研發(fā)公司( Lam Research Corp. )同步上漲2.57%、收206.02美元，創(chuàng)3月26日以來(lái)收盤(pán)高。晶圓檢測(cè)設(shè)備制造商科磊 ( KLA-Tencor Corporation )也上漲2.33%、收109.12美元。

臺(tái)積電 (2330)、三星對(duì)先進(jìn)制程競(jìng)賽白熱化，對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備廠商而言，也會(huì)相當(dāng)有利。

歐系外資4月9日甫發(fā)表研究報(bào)告指出，最近有謠言暗示，臺(tái)積電可能推延了極紫外光(EUV)微影設(shè)備訂單的交期，但根據(jù)實(shí)地調(diào)查，EUV的需求展望非但并未減弱、反之還有增溫跡象，估計(jì)歐洲半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)龍頭艾司摩爾(ASML Holding NV)明(2019)年的EUV產(chǎn)能，應(yīng)能如期被搶訂一空。

報(bào)告直指，臺(tái)積電已在4月2日向ASML和日本半導(dǎo)體設(shè)備廠Lasertec下達(dá)了近10億美元的訂單，顯示第一季訂購(gòu)的設(shè)備數(shù)量應(yīng)有6-8臺(tái)。三星則是對(duì)EUV態(tài)度最積極的廠商，據(jù)調(diào)查，三星或許會(huì)將至少一部份的1y nm DRAM (~1 layer)產(chǎn)能導(dǎo)入EUV，量產(chǎn)DRAM的時(shí)間點(diǎn)，甚至?xí)? 奈米晶圓代工/邏輯芯片還要早，因?yàn)槿谴蛩阆扔蔑L(fēng)險(xiǎn)較低的DRAM試產(chǎn)，以便在未來(lái)大量替7奈米制程導(dǎo)入EUV。