?Q2 DRAM價(jià)格仍維持高點(diǎn)，NAND受3D TLC沖擊持續(xù)走跌

內(nèi)存模組廠商創(chuàng)見(jiàn)第一季因 NAND Flash 跌價(jià)，獲利較去年同期年減 16.6%，較上季獲利衰退 19.6%。展望第二季，第二季 DRAM 合約價(jià)仍維持高點(diǎn)，但 NAND 仍供過(guò)于求，估計(jì)要待下半年，NAND Flash 降價(jià)壓力才會(huì)獲得抒緩。

在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，以第一季來(lái)看，工控產(chǎn)品占整體營(yíng)收比重 46.9%、策略性產(chǎn)品占 21.8%、消費(fèi)型 Flash 產(chǎn)品占17.8%，標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 產(chǎn)品則占 13.5%。

創(chuàng)見(jiàn)第一季毛利率達(dá) 22.2%，為近一年來(lái)的新低水準(zhǔn)，主要因 NAND  Flash 價(jià)格走跌，產(chǎn)品價(jià)格也有壓力，造成毛利率向下；在業(yè)外部分，創(chuàng)見(jiàn)持有現(xiàn)金部位中，美元比重達(dá)七成，第一季因?yàn)榕_(tái)幣升值，造成匯損沖擊。

展望第二季，目前看來(lái)第二季 DRAM 內(nèi)存合約價(jià)格仍會(huì)維持高點(diǎn)，NAND 則會(huì)持續(xù)受到 3D TLC 產(chǎn)能開(kāi)出，市場(chǎng)供給增加，第二季供過(guò)于求的狀況會(huì)持續(xù)，價(jià)格也恐怕會(huì)持續(xù)走跌。至于業(yè)外，隨著匯率趨穩(wěn)，第一季的匯損在第二季可望回沖。

展望下半年，創(chuàng)見(jiàn)預(yù)期，隨著手機(jī)容量的搭載 NAND Flash 比例可望提升，帶動(dòng)需求，下半年 NAND Flash 的降價(jià)壓力可望抒緩，創(chuàng)見(jiàn)也會(huì)適時(shí)彈性調(diào)整價(jià)格因應(yīng)。

另外，創(chuàng)見(jiàn)則持續(xù)加強(qiáng)利基的策略性產(chǎn)品，優(yōu)化產(chǎn)品線，包括蘋果升級(jí)方案、固態(tài)硬盤等等，而在工控領(lǐng)域，創(chuàng)見(jiàn)也推出 3D TLC NAND 閃存導(dǎo)入嵌入式解決方案，傳輸效能直逼 MLC 平面（2D）閃存，但價(jià)格卻更具競(jìng)爭(zhēng)力。