10奈米及7奈米等先進制程節(jié)點帶動極紫外線(EUV)設備持續(xù)成長,看好未來潛在商機,半導體設備大廠艾司摩爾(ASML)也加速布局腳步,提升EUV設備出貨量,計劃于2018年達到出貨20臺, 2019年出貨30臺以上EUV設備的目標。
ASML總裁暨執(zhí)行長Peter Wennink表示,該公司的第一季營收超出預期,主要原因除了來自于客戶對于深紫外光(DUV)微影系統(tǒng)和全方位微影方案(Holistic Litho)的需求外,還有EUV的業(yè)務持續(xù)成長。 ASML于2018年第一季完成3臺EUV系統(tǒng)的出貨,另1臺正準備出貨中;且同時于第一季獲得9臺EUV設備--NXE:3400B的訂單。
Wennink進一步說明,種種跡象來看,該公司看到了EUV設備于2018年的良好開局,而該公司也認為EUV業(yè)務于2018年將會持續(xù)穩(wěn)健成長,無論是銷售額或是盈利。
ASML日前公布2018年第一季財報,第一季營收凈額(Net Sales)為22.9億歐元,凈收入5.4億歐元,毛利率(Gross Margin)為48.7%。 預估2018第二季營收凈額將落在25~26億歐元之間,毛利率約為43%,反映EUV營收將大幅增加。
Wennink指出,已有許多客戶公開討論將于2018年底前采用EUV進行芯片量產(chǎn)。 為滿足此一需求,該公司計劃在2018年完成20臺EUV系統(tǒng)出貨,并在2019年將EUV出貨量拉升到30臺以上,協(xié)助客戶達成量產(chǎn)目標。
同時,Wennink透露,該公司也已經(jīng)從三個主要客戶接到了下一代高數(shù)值孔徑(High-NA)的EUV設備訂單,且售出了8個High-NA EUV系統(tǒng)的優(yōu)先購買權(Options)。
據(jù)悉,High-NA是EUV微影技術的延伸,其分辨率(Resolution)和生產(chǎn)時的微影迭對(Overlay)能力比現(xiàn)有EUV系統(tǒng)高出70%,以實現(xiàn)未來產(chǎn)業(yè)對于幾何式芯片微縮(Geometric Chip Scaling) 的要求。
另一方面,ASML也繼續(xù)提升EUV技術的吞吐量(Throughput);在一個客戶端的測試中,可達到每小時曝光125片晶圓的量產(chǎn)里程碑,同時在ASML的實驗室中也展現(xiàn)每小時曝光140片晶圓的能力。
至于在全方位微影方案上,ASML第一季已完成采用多重電子束技術(Multiple e-beam)的圖案缺陷量測(Pattern Fidelity Metrology)系統(tǒng)--ePfm5出貨。 該系統(tǒng)是ASML收購漢微科后共同研發(fā)的產(chǎn)品,具備更高的分辨率以檢測系統(tǒng)缺陷。
這項創(chuàng)新的電子束量測系統(tǒng)和ASML的表達式微影(Computational Lithography)軟件結合,能夠在實際制造芯片的過程中,實時提供電子束的反饋給微影系統(tǒng) ;而ASML也已經(jīng)證實多重電子束能夠進一步提升電子束量測的產(chǎn)能,應用于量產(chǎn)階段。
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