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      ?英特爾新制程落后,2021年或被臺(tái)積電超車

      文章出處:半導(dǎo)體 責(zé)任編輯:上海意泓電子科技有限責(zé)任公司 發(fā)表時(shí)間:
      2020
      11-10

      研究機(jī)構(gòu)Linley Group發(fā)布芯片產(chǎn)業(yè)報(bào)告指出,英特爾(Intel)開(kāi)發(fā)新制程落后,原有的芯片制造技術(shù)優(yōu)勢(shì)也幾乎蕩然無(wú)存。


      首席分析師Linley Gwennap寫(xiě)說(shuō),英特爾的10納米制程一再延誤,導(dǎo)致沖刺下一代制程進(jìn)度現(xiàn)不僅落后給臺(tái)積電,三星與其伙伴GlobalFoundries也準(zhǔn)備超車。


      據(jù)悉,臺(tái)積電計(jì)劃于今年6月份開(kāi)始量產(chǎn)7nm FinFET芯片,屆時(shí)臺(tái)積電將實(shí)現(xiàn)7nm芯片100%的市場(chǎng)份額,而高通、海思和Xillinx都是臺(tái)積電的大客戶,7nm這項(xiàng)工藝的收益將在第二季度開(kāi)始體現(xiàn)。


      三星已經(jīng)完成了7nm制程技術(shù)的開(kāi)發(fā),并且在這一制程技術(shù)中使用了極紫外線曝光設(shè)備(EUV)。最初,該公司預(yù)計(jì)7 納米制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)將在2018 年下半年完成,但是,未來(lái)追趕臺(tái)積電的腳步,現(xiàn)在已經(jīng)提前半年完成。有消息指出,高通正準(zhǔn)備向三星發(fā)送其新移動(dòng)芯片樣品。


      報(bào)告分析各大廠生產(chǎn)的芯片電路密度,以及其它工藝技術(shù)指標(biāo),結(jié)論是其它競(jìng)爭(zhēng)者所采用的技術(shù)水平均已逼近英特爾,比如臺(tái)積電的7納米與英特爾10納米幾乎沒(méi)有差距。報(bào)告指出,三大競(jìng)爭(zhēng)廠商在采購(gòu)下一代微影技術(shù)(lithography)設(shè)備均比英特爾積極,不排除三者2021年都將超越英特爾。


      英特爾護(hù)城河被對(duì)手一一攻破,未來(lái)營(yíng)收展望堪憂。日前有消息傳出,蘋(píng)果最快2020年于部分Mac電腦以自家研發(fā)的處理器取代英特爾處理器,恐沖擊英特爾營(yíng)收。

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