?復(fù)旦張衛(wèi)團(tuán)隊(duì)開(kāi)創(chuàng)第三類存儲(chǔ)技術(shù)

原標(biāo)題：我國(guó)科學(xué)家開(kāi)創(chuàng)第三類存儲(chǔ)技術(shù)
   
據(jù)新華社電 （記者吳振東）近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲(chǔ)原型器件，開(kāi)創(chuàng)了第三類存儲(chǔ)技術(shù)，寫(xiě)入速度比目前Ｕ盤快一萬(wàn)倍，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間也可自行決定。這解決了國(guó)際半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)中“寫(xiě)入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。

據(jù)了解，目前半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)主要有兩類，第一類是易失性存儲(chǔ)，例如計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存，掉電后數(shù)據(jù)會(huì)立即消失；第二類是非易失性存儲(chǔ)，例如人們常用的Ｕ盤，在寫(xiě)入數(shù)據(jù)后無(wú)需額外能量可保存１０年。前者可在幾納秒左右寫(xiě)入數(shù)據(jù)，第二類電荷存儲(chǔ)技術(shù)需要幾微秒到幾十微秒才能把數(shù)據(jù)保存下來(lái)。

此次研發(fā)的新型電荷存儲(chǔ)技術(shù)，既滿足了１０納秒寫(xiě)入數(shù)據(jù)速度，又實(shí)現(xiàn)了按需定制（１０秒－１０年）的可調(diào)控?cái)?shù)據(jù)準(zhǔn)非易失特性。這種全新特性不僅在高速內(nèi)存中可以極大降低存儲(chǔ)功耗，同時(shí)能實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)有效期截止后自然消失，在特殊應(yīng)用場(chǎng)景解決了保密性和傳輸?shù)拿堋?br/>
這項(xiàng)研究創(chuàng)新性地選擇多重二維材料堆疊構(gòu)成了半浮柵結(jié)構(gòu)晶體管：二硫化鉬、二硒化鎢、二硫化鉿分別用于開(kāi)關(guān)電荷輸運(yùn)和儲(chǔ)存，氮化硼作為隧穿層，制成階梯能谷結(jié)構(gòu)的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)?！斑x擇這幾種二維材料，將充分發(fā)揮二維材料的豐富能帶特性。一部分如同一道可隨手開(kāi)關(guān)的門，電子易進(jìn)難出；另一部分像一面密不透風(fēng)的墻，電子難以進(jìn)出。對(duì)‘寫(xiě)入速度’與‘非易失性’的調(diào)控，就在于這兩部分的比例?！敝荠i說(shuō)。

寫(xiě)入速度比目前Ｕ盤快一萬(wàn)倍，數(shù)據(jù)刷新時(shí)間是內(nèi)存技術(shù)的１５６倍，并且擁有卓越的調(diào)控性，可以實(shí)現(xiàn)按照數(shù)據(jù)有效時(shí)間需求設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)……經(jīng)過(guò)測(cè)試，研究人員發(fā)現(xiàn)這種基于全二維材料的新型異質(zhì)結(jié)能夠?qū)崿F(xiàn)全新的第三類存儲(chǔ)特性。